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14日、台湾メディア・自由時報は、米国による厳しい規制の影響により、中国の半導体リソグラフィー技術が大きく後れているとする米国シンクタンクの報告を紹介した。
2025年7月14日、台湾メディア・自由時報は、米国による厳しい規制の影響により、中国の半導体リソグラフィー技術が大きく後れているとする米国シンクタンクの報告を紹介した。
記事は米ワシントンの独立系シンクタンクのセキュリティー・新興技術センター(CSET)のデータとして、中国をリードするフォトレジスト技術サプライヤーの上海微電子装備が旧世代のリソグラフィー技術でさえ4%のシェアしか確保できていないことが明らかになったと紹介した。
そして、半導体製造デバイス分野で著しい進歩を遂げ、一部の特定分野では日本に肩を並べる技術力を持った中国企業が、フォトレジスト技術においては業界の先駆者であるオランダのASMLや日本のニコンに遠く及ばないことをCSETの研究者が発見し、「フォトレジスト技術が依然として中国にとって大きなボトルネックになっていることの表れ」との見解を示したことを伝えた。
記事は、米国主導による数年にわたる輸出規制により、ASMLは最先端の極端紫外線(EUV)露光システムを中国に輸出していないと紹介。中国では華為技術(ファーウェイ)が23年に中芯国際集成電路製造(SMIC)の支援を受けて国産7ナノメートルチップを初めて発表し、米国に衝撃を与えたものの、その後は先進的な露光システムの不足が原因で技術の進歩が停滞していると説明した。
一方で、CSETの分析はカナダのチップコンサルティング会社テックインサイツに各社が提供した収益情報をソースとしており、各企業内部で開発中のツールは対象外となっているため、ファーウェイなどの中国企業が開発を進めている内容をすべて網羅しているわけではないとも付け加えた。(編集・翻訳/川尻)
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